دانلود ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته (دانلود فوری)

ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته

ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته در 13 صفحه فارسی ورد قابل ویرایش با فرمت doc به همراه اصل مقاله انگلیسی

مشخصات فایل

تعداد صفحات 13
حجم 1 کیلوبایت
فرمت فایل اصلی doc
دسته بندی مهندسی برق

توضیحات کامل

ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته در 13 صفحه فارسی ورد قابل ویرایش با فرمت doc به همراه اصل مقاله انگلیسی



عنوان فارسی :

درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته

عنوان انگلیسی :

A New Gate Driver Integrated Circuit for IGBT Devices With Advanced Protections

تعداد صفحات فارسی : 13 صفحه ورد قابل ویرایش

سطح ترجمه : متوسط

شناسه کالا : bree

دانلود رایگان مقاله انگلیسی : http://ofmas.ir/dlpaper/bree.pdf

دانلود ترجمه فارسی مقاله : بلافاصله پس از پرداخت آنلاین 7 هزار و 500 تومان قادر به دانلود خواهید بود .


بخشی از ترجمه :


چکیده
هدف از این مقاله بحث در مورد راه حل های جدید در طراحی گیت  عایق ترانزیستور دوقطبی (IGBT) و درایور گیت با محافظت  پیشرفته مانند دو سطح می باشد  و  به نوبه خود کاهش جریان پیک را  هنگام روشن کردن دستگاه به همراه دارد ، دو سطح به نوبه خود خاموش  شده و برای محدود کردن بیش از حد ولتاژ هنگامی که دستگاه خاموش است، و میلر تابع گیره فعال در برابر پدیده های انتقال متقابل عمل می کنند . پس از آن، ما یک مدار جدید که شامل یک سطح با دو درایور خاموش  و یک تابع گیره میلر می باشد خواهیم داشت . آزمایش و نتایج برای این عملکرد های پیشرفته مورد بحث، با تاکید خاص بر نفوذ در سطح متوسط در دو سطح خاموش درایور  در حد خارج شدن در سراسر IGBT می باشد .

Abstract

The aim of this paper is to discuss new solutions in the design of insulated gate bipolar transistor (IGBT) gate drivers with advanced protections such as two-level turn-on to reduce peak current when turning on the device, two-level turn-off to limit over-voltage when the device is turned off, and an active Miller clamp function that acts against cross conduction phenomena. Afterwards, we describe a new circuit which includes a two-level turn-off driver and an active Miller clamp function. Tests and results for these advanced functions are discussed, with particular emphasis on the influence of an intermediate level in a two-level turn-off driver on overshoot across the IGBT.


توضیحات بیشتر و دانلود



صدور پیش فاکتور، پرداخت آنلاین و دانلود

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *